Use este identificador para citar ou linkar para este item:
https://repositorio.ufrn.br/handle/123456789/18605| Título: | Propriedades magnéticas e magnetorresistência em filmes finos de Ni81Fe19 |
| Autor(es): | Nascimento Júnior, Cristovão Porciano do |
| Orientador: | Bohm, Felipe |
| Palavras-chave: | Filmes finos. Permalloy. Materiais ferromagnéticos. Magnetorresistência anisotrópica;Thin films. Permalloy. Ferromagnetic materials. Hysteresis. Anisotropic magnetoresistance |
| Data do documento: | 18-Jun-2013 |
| Editor: | Universidade Federal do Rio Grande do Norte |
| Referência: | NASCIMENTO JÚNIOR, Cristovão Porciano do. Propriedades magnéticas e magnetorresistência em filmes finos de Ni81Fe19. 2013. 67 f. Dissertação (Mestrado em Física da Matéria Condensada; Astrofísica e Cosmologia; Física da Ionosfera) - Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Natal, 2013. |
| Resumo: | Os materiais ferromagnéticos exercem um papel importante no desenvolvimento de diversos dispositivos eletrônicos e têm grande importância na medida que os mesmos podem determinar a eficiência, o custo e o tamanho dos dispositivos. Por este motivo, muitas das investigações científicas têm, atualmente, se concentrado no estudo de materiais em escalas cada vez menores, a fim de entender e controlar melhor as propriedades dos sistemas nanoscópios, ou seja, com dimensões da ordem de 109 m, tais como filmes finos ferromagnéticos. Nesse trabalho, são analisadas as propriedades estruturais e magnéticas e o efeito da magnetorresistência em filmes finos ferromagnéticos de Permalloy produzidos por magnetron sputtering. Neste caso, visto que o efeito da magnetorresistência é dependente das interfaces dos filmes finos, este trabalho é dedicado ao estudo da magnetorresistência em amostras de Permalloy com configurações nominais de: Ta[4nm]/Py[16nm]/Ta[4nm], Ta[4nm]/Py[16nm]/O2/Ta[4nm], Ta[4nm]/O2/Py[16nm]/Ta[4nm], Ta[4nm]/O2/Py[16n m]/O2/Ta[4nm], na condição de como feitas e submetidas a tratamentos térmicos com temperaturas de 160 C, 360 C e 460 C, a fim de verificar a influência da inserção das camadas de O2 na estrutura das amostras e de tratamentos térmicos realizados após a produção das amostras. Os resultados obtidos são interpretados em termos da estrutura das amostras, tensões residuais armazendas durante a deposição, tensões induzidas pelos tratamentos térmicos e anisotropias magnéticas. |
| Abstract: | The ferromagnetic materials play an important role in the development of various electronic devices and, have great importance insofar as they may determine the efficiency, cost and, size of the devices. For this reason, many scientific researches is currently focused on the study of materials at ever smaller scales, in order to understand and better control the properties of nanoscale systems, i.e. with dimensions of the order of nanometers, such as thin film ferromagnetic. In this work, we analyze the structural and magnetic properties and magnetoresistance effect in Permalloy-ferromagnetic thin films produced by magnetron sputtering. In this case, since the magnetoresistance effect dependent interfaces of thin films, this work is devoted to the study of the magnetoresistance in samples of Permalloy in nominal settings of: Ta[4nm]/Py[16nm]/Ta[4nm], Ta[4nm]/Py[16nm]/O2/Ta[4nm], Ta[4nm]/O2/Py[16nm]/Ta[4nm], Ta[4nm]/O2/Py[16n m]/O2/Ta[4nm], as made and subjected to heat treatment at temperatures of 160ºC, 360ºC e 460ºC, in order to verify the influence of the insertion of the oxygen in the layer structure of samples and thermal treatments carried out after production of the samples. Results are interpreted in terms of the structure of the samples, residual stresses stored during deposition, stresses induced by heat treatments and magnetic anisotropies |
| URI: | https://repositorio.ufrn.br/jspui/handle/123456789/18605 |
| Aparece nas coleções: | PPGFIS - Mestrado em Física |
Arquivos associados a este item:
| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| CristovaoPNJ_DISSERT.pdf | 19,72 MB | Adobe PDF |  Visualizar/Abrir |
Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.