Navegando por Autor "Fabris, Guilherme da Silva Lopes"
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Artigo Computational procedure to an accurate DFT simulation to solid state systems(Elsevier, 2019-12) Gomes, Eduardo O.; Fabris, Guilherme da Silva Lopes; Ferrer, Mateus M.; Motta, Fabiana Villela da; Delmonte, Maurício Roberto Bomio; Andres, Juan; Silva, Elson Longo da; Sambrano, Júlio RicardoThe density functional theory has become increasingly common as a methodology to explain the properties of crystalline materials because of the improvement in computational infrastructure and software development to perform such computational simulations. Although several studies have shown that the characteristics of certain classes of materials can be represented with great precision, it is still necessary to improve the methods and strategies in order to achieve more realistic computational modeling. In the present work, strategies are reported in a systematic way for the accurate representation of crystalline systems. The crystalline compound chosen for the study as a case test was BaMoO4, both because of its potential technological application and because of the low accuracy of the simulations previously reported in the literature. The computational models were carried out with the B3LYP and WC1LYP functionals selected from an initial set containing eight hybrid functionals in conjunction with an all-electron basis set. Two different strategies were applied for improving the description of the initial models, both involving atomic basis set optimization and Hartree-Fock exchange percentage adjustment. The results obtained with the two strategies show a precision of structural parameters, band gap energy, and vibrational properties never before presented in theoretical studies of BaMoO4. Finally, a flowchart of good calculation practices is elaborated. This can be of great value for the organization and conduction of calculations in new researchTCC Modelagem de filmes finos de estanato de bário fluoretado (BaSnO3:F) por meio da Química Quântica Computacional(Universidade Federal do Rio Grande do Norte, 2020-12-09) Santos, Jefferson Luan dos; Albuquerque, Anderson dos Reis; Silva, Evanimek Bernardo Sabino da; Fabris, Guilherme da Silva LopesNos últimos anos, as pesquisas têm aumentado especificamente no estudo computacional por meio da Química Quântica na formação de superfícies (001), (011) e (111) das perovskitas do tipo ABO3 (A = íons mono ou divalentes, B = íons tri, tetra e pentavalentes, O = oxigênio) de estrutura cúbica pertencente ao grupo espacial Pm3m, amplamente utilizadas por apresentarem propriedades elétricas e magnéticas aplicáveis. O material em estudo nesse trabalho é o estanato de bário (BaSnO3), devido as suas propriedades dielétricas e semicondutoras, cuja atividade em fotocatálise e sensoriamento de gases tem sido reportada experimentalmente, com um band-gap entre 2,9 e 3,4 eV. Como sensor, suas principais aplicações são como sensor de umidade e dos gases CO, SOx, H2, Cl2 e Gás Liquefeito (GLP). O interesse em estudar o BaSnO3 está na capacidade deste material interagir com a atmosfera na qual está incluído, podendo ser utilizado no monitoramento de gases e sensores. O aprimoramento de materiais para uma determinada aplicação requer o controle de fase, de morfologia, de dopantes, da estrutura eletrônica e do controle de defeitos pontuais, numa abordagem conhecida como Engenharia de Defeitos. Todos os cálculos computacionais foram realizados utilizando o programa Crystal17, que considera a correta periodicidade 2D dos filmes finos de estanato de bário (BaSnO3) do estado sólido, para a obtenção de propriedades estruturais por meio de cálculos Quânticos Computacionais ao nível da Teoria do Funcional da Densidade (DFT), visando a compreensão quanto à estrutura, morfologia e estrutura eletrônica voltados à aplicações integradas de sensoriamento de gases (O2, N2 e NO) e fotocatálise. A estrutura eletrônica dos filmes foi analisada com base na estrutura de bandas, densidade de estados e localização dos orbitais cristalinos. Os resultados mostraram que o estanato de bário apresenta uma determinada sensibilidade de condutividade elétrica estáveis à temperaturas de 1000ºC. E em comparação ao BaSnO3 não dopado, os cálculos iniciais demonstraram que os filmes finos do material fluoretado apresentaram-se mais promissores à aplicações como sensores, devido à maior sensibilidade e seletividade do gás NO.