Propriedades termoelétricas de filmes nanométricos de ligas de telúrio, bismuto, selênio e antimônio produzidos por Magnetron sputtering DC

dc.contributor.advisorFeitosa, Carlos Chesman de Araújo
dc.contributor.advisorIDpt_BR
dc.contributor.authorCosta, Neymar Pereira da
dc.contributor.authorIDpt_BR
dc.contributor.referees1Oliveira, Alexandre Barbosa de
dc.contributor.referees1IDpt_BR
dc.contributor.referees2Gonçalves, Charlie Salvador
dc.contributor.referees2IDpt_BR
dc.contributor.referees3Furtado, Cláudio Benedito Silva
dc.contributor.referees3IDpt_BR
dc.contributor.referees4Medeiros, Suzana Nóbrega de
dc.contributor.referees4IDpt_BR
dc.date.accessioned2017-12-14T18:05:44Z
dc.date.available2017-12-14T18:05:44Z
dc.date.issued2017-09-14
dc.description.resumoA presente tese traz um método de produção de alvos semicondutores cujo material é proveniente de módulos termoelétricos comerciais. Os alvos têm a finalidade e foram utilizados em sistema magnetron sputtering. Os materiais que compõem os alvos são ligas ternárias semicondutoras, uma de telureto de bismuto e antimônio, que se caracteriza como tipo P e a outra ligada é um seleneto de bismuto e telúrio, cuja composição o caracteriza como tipo N. Estas ligas dos sistemas Bi2Te3-ySey e Bi2-xSbxTe3 apresentam propriedades termoelétricas de alto desempenho dentro da faixa de temperatura entorno da ambiente. A partir desses alvos, foram produzidos filmes termoelétricos de espessura nanométrica, em dois lotes, cujas amostras foram submetidas a tratamentos térmicos após sua produção. Foram investigadas as propriedades termoelétricas dos filmes, à temperatura ambiente, no sistema de medidas de propriedades físicas, o PPMS. Para isso foi utilizado a opção de transporte térmico TTO, o qual possibilita a aquisição de dados de grandezas físicas como o coeficiente Seebeck α, a condutividade térmica κ e a resistividade elétrica ρ. Com essas grandezas reunidas, foi calculado o Fator de Potência e a Figura de Mérito que é um fator adimensional que determina o quanto o material é promissor para aplicações em conversão de energia e refrigeração termoelétrica. Medidas de voltagem por corrente pelo método quatro pontas colinear, foram realizadas e mostraram um indicativo de utilização para o semicondutor tipo P como sensor de chaveamento térmico. Uma importante perspectiva é o desenvolvimento de um substrato, utilizando os filmes como termoelementos planares e assim, funcionar como dispositivo termoelétrico, capaz de promover gradientes térmicos em aplicações a outros sistemas como os magneto galvanométricos.pt_BR
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)pt_BR
dc.identifier.citationCOSTA, Neymar Pereira da. Propriedades termoelétricas de filmes nanométricos de ligas de telúrio, bismuto, selênio e antimônio produzidos por Magnetron sputtering DC. 2017. 102f. Tese (Doutorado em Física) - Centro de Ciências Exatas e da Terra, Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Natal, 2017.pt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.ufrn.br/jspui/handle/123456789/24514
dc.languageporpt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.initialsUFRNpt_BR
dc.publisher.programPROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICApt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectAlvopt_BR
dc.subjectTelureto de bismutopt_BR
dc.subjectTermoelétricopt_BR
dc.subjectCoeficiente Seebeckpt_BR
dc.subjectFigura de méritopt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApt_BR
dc.titlePropriedades termoelétricas de filmes nanométricos de ligas de telúrio, bismuto, selênio e antimônio produzidos por Magnetron sputtering DCpt_BR
dc.typedoctoralThesispt_BR

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